RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB против SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2973
2803
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link