SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 43

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 33
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.1 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1706 3422

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905678-156.A00G 8GB

Kingston 9905678-156.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM