RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
1827
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link