SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 43

Около 5% меньшая задержка
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.2 7.1

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

41 43
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 11.0
Скорость записи, Гб/сек

7.1 7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1484 1393

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingston 9965684-013.A00G 8GB

Kingston 9965684-013.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM