RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2440
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link