RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
70
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
3,071.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2327
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link