RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link