RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
68
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,944.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,973.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,944.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
673
3245
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link