RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 17.4
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 46
    Около -44% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 1,852.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5,535.6 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,852.4 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    858 left arrow 3137

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
модули RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
модули RAM