RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
87
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3832
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link