TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 20.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 19.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 87

Около -314% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 21
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 20.1
Скорость записи, Гб/сек

870.4 19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 4089

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM