RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2690
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link