RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
1989
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link