TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB против Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Средняя оценка

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Причины выбрать
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 34

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 13.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 33
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2393 3298

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

модули RAM

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

модули RAM