RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
96
Около -256% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2173
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link