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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
66
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
66
读取速度,GB/s
11.3
15.9
写入速度,GB/s
7.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
1877
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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