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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

总分
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 47
    左右 15% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.3 left arrow 10
    测试中的平均数值
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 47
  • 读取速度，GB/s
    11.3 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 7.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1654 left arrow 2308

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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内存RAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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