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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3084
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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