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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.4
15.9
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2952
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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