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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
36
读取速度,GB/s
5,135.8
15.0
写入速度,GB/s
2,343.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2946
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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