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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
49
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
41
读取速度,GB/s
5,135.8
12.3
写入速度,GB/s
2,343.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2021
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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