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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.7
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
16.8
20.7
写入速度,GB/s
11.5
16.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
3500
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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