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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
30
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
22
读取速度,GB/s
16.8
17.2
写入速度,GB/s
11.5
12.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
3035
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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