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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
16.8
15.3
写入速度,GB/s
11.5
11.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
2648
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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