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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
33
读取速度,GB/s
15.5
17.0
写入速度,GB/s
11.8
14.6
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3422
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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