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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

总分
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

总分
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB 需要考虑的原因
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 56
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    8.2 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 1,925.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 41
  • 读取速度，GB/s
    4,315.2 left arrow 8.2
  • 写入速度，GB/s
    1,925.7 left arrow 5.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    658 left arrow 1704

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM的比较

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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