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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
2,614.5
19.7
写入速度,GB/s
1,145.9
15.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3452
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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