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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
65
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
65
读取速度,GB/s
2,614.5
15.8
写入速度,GB/s
1,145.9
8.5
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
1932
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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