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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
4,937.3
15.4
写入速度,GB/s
2,061.2
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2780
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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