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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
49
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
49
读取速度,GB/s
4,937.3
10.8
写入速度,GB/s
2,061.2
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2302
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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