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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
4,937.3
18.1
写入速度,GB/s
2,061.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3254
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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