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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
16.6
写入速度,GB/s
2,061.2
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3007
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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