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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
4,937.3
12.0
写入速度,GB/s
2,061.2
5.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1925
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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