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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
67
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
27
读取速度,GB/s
6.8
17.1
写入速度,GB/s
3.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3237
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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