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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
67
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
48
读取速度,GB/s
6.8
11.6
写入速度,GB/s
3.6
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2466
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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