RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB

AMD AE34G2139U2 4GB vs Kingston 9905599-026.A00G 8GB

总分
star star star star star
AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

总分
star star star star star
Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G2139U2 4GB 需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
Kingston 9905599-026.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 56
    左右 -143% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 5.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    7.4 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    5.6 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1462 left arrow 2658

AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较

AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
内存RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
内存RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
内存RAM