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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
73
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
71
读取速度,GB/s
6.3
14.8
写入速度,GB/s
5.2
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1799
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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