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AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
6.3
17.4
写入速度,GB/s
5.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3049
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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