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AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
6.3
11.3
写入速度,GB/s
5.2
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2292
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM的比较
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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