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AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
14.5
写入速度,GB/s
5.2
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2544
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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