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AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
73
左右 -284% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
19
读取速度,GB/s
6.3
19.8
写入速度,GB/s
5.2
18.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3543
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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