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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
16.8
写入速度,GB/s
10.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3143
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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