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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

总分
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

总分
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 48
    左右 46% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 11.6
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2634 left arrow 2466

AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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