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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
15.4
15.3
写入速度,GB/s
9.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2686
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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