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AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
46
读取速度,GB/s
15.4
14.2
写入速度,GB/s
9.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2717
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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