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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2641
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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