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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
11.1
13.5
写入速度,GB/s
6.5
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
2430
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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