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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
49
读取速度,GB/s
11.1
9.8
写入速度,GB/s
6.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
2277
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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