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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
12.8
16.1
写入速度,GB/s
6.7
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3098
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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