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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
4,967.4
16.9
写入速度,GB/s
1,973.5
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3285
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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